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본 발명은 소수성 박막의 형성 방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 소수성 박막의 형성 방법은 기판 상에 적어도 둘 이상의 실리콘(Si, Silicon) 원소를 포함하는 아미노실란계 전구체 기체를 노출시키는 단계와, 아미노실란계 전구체 기체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계와, 기판 상에 반응 기체를 노출시켜 기판 상에 소수성 박막을 증착 시키는 단계 및 반응 기체를 챔버로부터 퍼지시키는 단계를 포함할 수 있다.
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