본 발명은 반도체를 구성하는 각 셀을 니켈 전극 면에서 수직하게 형성하여 집적밀도 및 셀 사이의 간섭을 최소화하며, 반도체 기판에 니켈을 전극으로써 증착하고, 니켈의 자유 운동성을 이용하여 규소 등을 형성함으로써 셀을 형성할 때, 소요되는 공정을 단순화시키는 니켈 전극을 이용한 수직 나노와이어 반도체 형성방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 반도체 기판의 적어도 일 영역에 니켈을 증착하여 전극을 형성하는 단계, 전극에 백금, 및 금 중 어느 하나를 촉매로서 증착하는 단계, 및 규소화합물 또는 게르마늄 화합물 기체가 충전된 고온의 챔버에서 니켈을 구성하는 입자의 자유운동을 이용하여 니켈의 면 방향에 대해 수직하게 규소, 게르마늄 또는 규소-게르마늄 화합물을 성장시키는 단계를 포함한다. 나노와이어, 니켈 전극, 채널 라인, 메모리, 규소, 게르마늄