본 발명에 따른 스태틱 랜덤 액세스 메모리 장치는, 데이터 신호의 로직 상태에 응답하여 메모리 셀과 연결된 제 1 비트 라인 및 제 2 비트 라인 중 하나를 플로팅 시키고 다른 하나의 비트 라인에는 쓰기 전압을 인가하는 쓰기 드라이버, 상기 플로팅된 비트 라인의 전압을 입력받아 쓰기 실패 신호를 출력하는 쓰기 실패 감지부, 그리고 상기 쓰기 실패 신호에 응답하여 쓰기 보조 전압을 생성하는 보조 전압 생성부를 포함하되, 상기 쓰기 드라이버는 상기 쓰기 보조 전압을 상기 쓰기 전압을 인가한 비트 라인에 추가로 공급한다.
