반도체 메모리 장치가 제공된다. 상기 반도체 메모리 장치는, SRAM(Static Random Access Memory) 셀, 제1 비트라인과 상기 제1 비트라인과 다른 제2 비트라인을 통해 상기 SRAM 셀에 접속되고, 상기 SRAM 셀에 저장된 데이터를 센싱하는 센싱 회로, 및 상기 제1 및 제2 비트라인을 통해 상기 SRAM 셀에 접속되고, 상기 제1 비트라인을 공급전압보다 낮은 제1 전압으로 프리차지하고, 상기 제2 비트라인을 상기 공급전압보다 낮고 상기 제1 전압과 다른 제2 전압으로 프리차지하는 비트라인 전압 조절 회로를 포함한다.
