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본 발명은 상전이 광 이성질체 화합물을 제공하며, 상전이 광 이성질체층에 선택적 광 조사 공정을 진행한 후 도전성 물질을 증착함으로써, 마스크 공정 없이 금속 패턴의 형성이 가능하다. 따라서, 마스크 공정 없이 발광다이오드의 제 2 전극의 일부에 보조 전극을 형성할 수 있으며, 이에 의한 제 2 전극의 전압 강하에 의한 발광다이오드 표시장치의 표시 품질 저하 문제를 방지할 수 있다.
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