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본 발명은 강유전성 구조체 및 이를 이용한 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 강유전성 구조체는, 산화물 층, 질화물 층, 그리고 상기 산화물 층 및 상기 질화물 층을 포함하는 단위 적층체 중 선택된 적어도 2 이상의 단위 층상 구조가 교호 반복하여 적층되는 교호 적층체; 및 상기 교호 적층체의 상부면 또는 하부면에 접하여 배치되는 층상 구조의 칼코지나이드 층을 포함할 수 있다.
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