본 발명은 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터는 기판, 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 형성된 p형 산화물 반도체 박막, 상기 p형 산화물 반도체 박막의 상부에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성된 상기 p형 산화물 반도체 박막 상에 형성된 패시베이션(passivation)층을 포함하고, 상기 p형 산화물 반도체 박막은 제1 열처리를 통하여 활성화되며, 상기 p형 산화물 반도체 박막은 상기 패시베이션층이 형성된 후 제2 열처리를 통하여 상기 p형 산화물 반도체 박막의 백 채널(back channel)이 선택적으로 산화됨으로써 상변화되는 것을 특징으로 한다.