제목

트랜지스터, 전자장치 및 트랜지스터 회로

출원인

엘지디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단

공고일

2023.08.07

출원일

2018.11.07

공개일

2020.05.15

게시글 내용

 본 실시예들은 트랜지스터, 전자장치 및 트랜지스터 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, CuOx로 표시되고, x가 0 초과 1 미만인 구리 산화물에 도핑제가 혼입된 p형 반도체인 산화물 반도체층을 포함하는 트랜지스터 등에 관한 것이다. 본 발명의 실시예들에 의하면, on/off 스위칭 특성이 우수한 산화물 반도체층을 포함하는 트랜지스터 등을 제공할 수 있다. 

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