본 발명은 비선형 선택 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 비선형 선택 소자는 제 1 전극; 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되고, 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT) 특성을 갖는 제 1 전이 금속의 산화물 매트릭스 층 및 상기 산화물 매트릭스 층 내에 국부적으로 배치되고, 상기 제 1 전이 금속과 다른 종류의 제 2 전이 금속의 산화물을 포함하며, 문턱 전압을 갖는 스위칭 층을 포함하고, 상기 문턱 전압은 상기 제 2 전이 금속의 산화물의 함유량에 의해 조절될 수 있다.