스니크 전류를 제거하기 위한 메모리 장치를 개시한다.본 발명의 실시예에 따른 메모리 장치는, 복수의 워드 라인 및 복수의 비트 라인이 교차되며, 상기 워드 라인 및 상기 비트 라인의 교차점 각각에 배치되는 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이; 및 상기 비트 라인의 전체 또는 일부에 비트라인 전류를 공급하고, 적어도 하나의 스위칭 제어를 통해 상기 비트라인 전류를 기반으로 스니크 전류(sneak current)를 제거하며, 상기 메모리 셀에 저장된 데이터를 감지 증폭하여 감지 증폭된 데이터를 출력하기 위한 감지 회로를 포함할 수 있다.
