본 실시예에 의한 비휘발성 메모리 소자: 제1 인버터; 제1 인버터와 크로스 커플(cross coupled)된 제2 인버터; 및 비휘발성 메모리 회로를 포함하고, 비휘발성 메모리 회로는 풀 업(pull up) 트랜지스터와, 풀 다운(pull down) 트랜지스터 및 풀 업 트랜지스터와 풀 다운 트랜지스터와 각각 제1 전극 및 제2 전극이 연결된 강유전체 트랜지스터(FeFET, ferroelectric Field Effect Transistor)를 포함한다.
