본 발명은 가교반응이 가능한 폴리(이미드-실록산)을 이용한 트랜지스터 보호막 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실록산을 포함하는 다이아민 및 다이안하이드라이드를 반응시켜 폴리(이미드-실록산)을 제조하고, 이를 알케닐아이소시아네이트 화합물과 혼합하여 가교반응이 가능한 알케닐 말단 폴리(이미드-실록산)을 제조하며, 이를 가교제 및 촉매와 혼합하여 하이드로실릴화 반응을 거쳐 트랜지스터 보호막을 제조하는 방법, 이를 통해 제조된 트랜지스터 보호막에 관한 것이다. 본 발명을 통해 제조된 트랜지스터 보호막은 내열성, 열전도도, 광투과성 등의 전반적인 특징이 우수하다.
