본 발명은 선택 소자 및 이를 포함하는 저항 변화형 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 양태에 따르면 상기 선택 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이의 스위칭 층을 포함하며, 상기 스위칭 층은 지르코늄(Zr)-도핑된 갈륨텔루라이드계 물질을 포함한다. 본 발명에 따르면 선택 소자의 스위칭 층에서 갈륨텔루라이드계 물질에 도핑되는 지르코늄의 농도를 조절하여 상기 스위칭 층의 문턱 전압(Vth)을 제어할 수 있다. 따라서, 다양한 메모리 장치의 셋 전압에 따라 목적하는 스위칭 전압을 가지도록 선택 소자를 형성할 수 있다. 이와 더불어 판독(read)/ 기록(write) 단계에서 효과적으로 누설 전류(sneak current)를 감소시킬 수 있다.