강유전체 소자 기반 NAND 타입 내용 주소화 메모리 셀 및 이를 포함하는 내용 주소화 메모리
출원인
연세대학교 산학협력단
공고일
2023.02.28
출원일
2021.07.16
공개일
2023.01.26
게시글 내용
본 발명은 TCAM 셀 각각이 양단이 제1 방향으로 연장되는 다수의 매치라인 중 대응하는 매치라인 사이에 직렬로 연결되는 제1 FeFET, 상기 제1 FeFET와 병렬로 연결되어 양단이 대응하는 매치라인 사이에 직렬로 연결되는 제2 FeFET, 상기 제1 FeFET의 게이트와 다수의 비트라인 중 대응하는 비트라인 사이에 연결되고, 게이트가 다수의 워드라인 중 대응하는 워드라인에 연결되는 제1 액세스 트랜지스터 및 상기 제2 FeFET의 게이트와 다수의 비트라인바 중 대응하는 비트라인바 사이에 연결되고, 게이트가 상기 제1 액세스 트랜지스터와 공통으로 대응하는 워드라인에 연결되는 제2 액세스 트랜지스터를 포함하여, 적은 개수의 소자로 구성되어 좁은 면적에 고집적화하여 소형으로 제조될 수 있으며, 네거티브 전압을 이용하지 않고 라이트 디스터번스가 발생하지 않아 선택된 TCAM 셀에 안정적으로 데이터를 라이트할 수 있을 뿐만 아니라, 에너지 소모를 줄이면서 빠른 검색을 수행할 수 있는 NAND 타입 TCAM 셀 및 이를 포함하는 TCAM을 제공한다.