제목

비트라인 센스 앰프 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치

출원인

연세대학교 산학협력단

공고일

2022.12.16

출원일

2021.07.27

게시글 내용

 본 발명은 센스 앰프 오프셋을 제거함으로써 센싱 마진을 증가시키고, 차지 쉐어링 기간 동안 오프셋이 제거되도록 하여 오프셋 제거로 인한 센싱 시간이 증가되지 않도록 할 뿐만 아니라, 이중 센싱 마진 구조를 적용하여 센싱 마진을 대폭 향상시킬 수 있으며, 별도의 프리차지 회로를 필요로 하지 않으므로 크기 및 비용 증가를 억제할 수 있는 비트라인 센스 앰프 회로 및 이를 이용한 반도체 메모리 장치를 제공한다. 

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