본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층의 채널 영역 상에 게이트 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 산화물 반도체층의 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 도체화 하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 각각 전기적으로 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 소스 영역 및 드레인 영역을 도체화 하는 단계는, 액상 환원제를 이용하여 용액 공정에 의해 수행되는 것일 수 있다.