본 발명은 저온에서 형성된 결정상 ZrO2 박막 및 그의 증착방법에 관한 것으로, Zr 전구체를 가열하고 어시스트 가스 적용을 포함하고 있으며 챔버온도를 저온으로 제어하는 ALD 공정에 의한 ZrO2 결정상 박막 증착 방법을 제공한다. 구체적으로, ALD 챔버 내에 기판을 준비하는 제1단계; ALD 챔버를 가열하는 제2단계; Zr 전구체를 캐니스터에 넣고 설치하는 제3단계; 상기 제3단계에서 설치된 Zr 전구체 캐니스터를 가열하는 제4단계; 및 상기 캐니스터에 어시스트 가스를 흘려주어 기판 위에 ZrO2를 코팅하는 제5단계;를 포함하는 결정상 ZrO2 박막 증착방법을 제공한다. 본 발명의 ALD 공정은 불산 등 부식성이 강한 분위기에 노출되는 반도체 공정용 부품의 내부식 특성 향상을 위한 결정상 ZrO2 박막 코팅에 유용하게 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 ZrO2 박막은 내부식성이 상당히 우수하여 반도체 또는 디스플레이를 제조하는 공정 챔버의 적어도 일부를 구성하는 부품으로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 ZrO2 박막을 구비한 부품을 포함하는 반도체 또는 디스플레이 제조 공정 장비를 제공할 수 있다.