본 발명은 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 전극층; 상기 제1 전극층 상에 배치된 게이트 층; 상기 게이트 층 상부에 배치되며, 상기 제1 전극층의 일부와 연결된 채널 층(또는 반도체 층); 및 상기 반도체 층 상에 배치된 제2 전극층을 포함하며, 상기 반도체 층을 통해 정류 현상과 비휘발성 메모리 특성을 가지는 이단자 메모리 소자를 제공한다. 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 셀렉터 없이 누설전류를 차단하면서도 안정적으로 구동 가능한 자가 게이트 효과를 이용한 2단자 메모리 소자를 제공할 수 있다.