본 발명은 복수 개가 제1 방향으로 이격 배치된 비트 라인, 상기 복수 개의 비트 라인 상에 제1 방향으로 분리 배치된 복수 개의 셀렉터, 상기 복수 개의 셀렉터 상에 배치된 복수 개의 가변 저항층 및 상기 가변 저항층 상에 배치되며, 상기 비트 라인과 수직하는 제2 방향으로 이격 배치되는 복수 개의 워드 라인을 포함하며, 상기 복수 개의 비트 라인 사이에서 제1 방향 및 상기 복수 개의 워드 라인 사이에서 제2 방향 중 어느 하나 이상에 연장하여 배치된 열 추출기 라인을 포함하는 비휘발성 메모리 장치를 제공한다.
