- 제목
- 에피택셜 웨이퍼 및 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법
- 출원인
- 연세대학교 산학협력단
- 공고일
- 2024.08.23
- 출원일
- 2022.05.27
- 공개일
- 2023.06.05
- 게시글 내용
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본 발명의 일 실시형태에 따른 에피택셜 웨이퍼는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되고, 반도체 소자를 구성하는 제1 영역 및 상기 제1 영역의 주변부에 배치되는 제2 영역을 포함하는 적층 구조;를 포함하고, 상기 제2 영역은 실리콘(Si)층 및 실리콘 게르마늄(SiGe) 층이 교대로 적층되며, 상기 실리콘 게르마늄층은 도핑된 보론(B)을 포함할 수 있다.
- 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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