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본 발명의 일 실시형태에 따른 자기장 인식 메모리는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 반도체층; 상기 반도체층과 기판 사이에 배치되는 전극 어레이; 상기 반도체층 상에 배치되는 강유전층; 및 상기 강유전층과 이격되어 배치되는 플렉서블 게이트 전극;을 포함하고, 상기 플렉서블 게이트 전극은 외부 자기장의 인가에 따라 상기 강유전층과 접촉할 수 있다.
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