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산학협력단

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제목
정적 랜덤 액세스 메모리의 메모리 셀 어레이 및 이를 포함하는 정적 랜덤 액세스 메모리
출원인
삼성전자주식회사, 연세대학교 산학협력단
출원일
2023.01.10
공개일
2024.07.17
게시글 내용
 정적 랜덤 액세스 메모리의 메모리 셀 어레이는 상부 및 하부 메모리 셀 어레이들을 포함한다. 상부 메모리 셀 어레이에 포함되는 제1 상부 메모리 셀은, 전원 전압 및 제1 중간 노드 사이에 연결되고, 제1 상부 워드 라인, 제1 상부 비트 라인 및 제1 상부 반전 비트 라인과 연결된다. 하부 메모리 셀 어레이에 포함되고 제1 상부 메모리 셀과 한 쌍을 이루어 동작하는 제1 하부 메모리 셀은, 제1 중간 노드 및 접지 전압 사이에 연결되고, 제1 하부 워드 라인, 제1 하부 비트 라인 및 제1 하부 반전 비트 라인과 연결된다. 제1 상부 메모리 셀 및 제1 하부 메모리 셀에 대한 기입/독출 동작이 미수행되는 경우에, 제1 상부 비트 라인, 제1 상부 반전 비트 라인, 제1 하부 비트 라인 및 제1 하부 반전 비트 라인 모두는 제1 중간 노드와 전기적으로 연결된다. 

정적 랜덤 액세스 메모리의 메모리 셀 어레이 및 이를 포함하는 정적 랜덤 액세스 메모리 대표 이미지

첨부
공개전문PDF
  • 자료출처 : KIPRIS (https://www.kipris.or.kr)
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    (02-2123-5138 / jh.yan@yonsei.ac.kr)
    연세대학교 원주산학협력단 원주산학협력단 기술경영팀 기술경영팀 오정환 팀장
    (033-760-5251 ~ 5252 / WJDGHKSA@yonsei.ac.kr)